[发明专利]存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的栅电极，并且具有竖直孔；有源柱，其设置在竖直孔中，并且提供竖直沟道；电荷存储部分，其介于有源柱与栅电极之间；阻挡电介质，其介于电荷存储部分与栅电极之间；隧道电介质，其介于电荷存储部分与有源柱之间；绝缘体，其填充有源柱的内孔；以及固定电荷层，其介于填充绝缘体与有源柱之间。采取手段解决了其中电流原本会在竖直沟道与填充绝缘体之间的界面附近被不利地影响的现象。

主权项

一种存储器装置，包括：衬底；堆叠件，其包括竖直地堆叠在所述衬底上的各栅电极，该堆叠件具有暴露出所述衬底的一部分的竖直孔；有源柱，其包括设置在所述竖直孔的下部区域中的底部和沿着所述竖直孔的侧部延伸的竖直部，所述有源柱具有内孔；电荷存储部分，其介于所述有源柱与所述栅电极之间；阻挡电介质，其介于所述电荷存储部分与所述栅电极之间；隧道电介质，其介于所述电荷存储部分与所述有源柱之间；填充绝缘体，其填充所述内孔；以及固定电荷层，其介于所述填充绝缘体与所述有源柱之间，其中，所述固定电荷层延伸至所述有源柱的底部上，并且所述有源柱的竖直部比所述有源柱的底部更厚。