[发明专利]一种具有反射层的四结太阳能电池在审
申请号: | 201510811506.5 | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN105355669A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 张小宾;刘建庆;陈丙振;王雷;马涤非;刘雪珍;吴波;张杨;杨翠柏 | 申请(专利权)人: | 中山德华芯片技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 梁莹 |
地址: | 528437 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有反射层的四结太阳能电池,可应用于聚光光伏发电系统,该电池以Ge单晶片为衬底,在所述Ge衬底上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池和GaInP子电池,其中AlGaAs/GaInAs DBR反射层用于反射长波光子,使长波光子被GaInNAs子电池二次吸收。本发明可以减少GaInNAs子电池厚度,并提高其收集效率,从而提高四结太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 反射层 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种具有反射层的四结太阳能电池,包括有Ge衬底,其特征在于:所述Ge衬底为p型Ge单晶片;在所述Ge衬底上面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池和GaInP子电池;所述GaInAs/GaInP缓冲层和AlGaAs/GaInAs DBR反射层之间通过第一隧道结连接,所述GaInNAs子电池和GaInAs子电池通过第二隧道结连接,所述GaInAs子电池和GaInP子电池通过第三隧道结连接;其中,所述AlGaAs/GaInAs DBR反射层用于反射长波光子,使长波光子被GaInNAs子电池二次吸收。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的