[发明专利]工艺损害最小化的自对准磁阻式随机存取存储器(MRAM)结构有效
| 申请号： | 201510811772.8 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105845821B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 徐晨祐;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有双侧壁间隔件结构的磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括反铁磁层；固定层，布置在所述反铁磁层上方并且具有固定的磁极性；自由层，布置在所述固定层上方并且具有可变的磁极性；第一侧壁间隔件层，从所述固定层上方沿着所述自由层的侧壁延伸；以及第二侧壁间隔件层，从所述反铁磁层上方沿着所述固定层和所述第一侧壁间隔件层的侧壁延伸。还提供了一种用于制造MRAM单元的方法。本发明还提供了工艺损害最小化的自对准磁阻式随机存取存储器(MRAM)结构。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 损害 最小化 对准 磁阻 随机存取存储器 mram 结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻式随机存取存储器单元，包括：反铁磁层；固定层，布置在所述反铁磁层上方并且具有固定的磁极性；自由层，布置在所述固定层上方并且具有可变的磁极性；第一侧壁间隔件层，从所述固定层上方沿着所述自由层的侧壁延伸；第二侧壁间隔件层，从所述反铁磁层上方沿着且接触所述固定层的侧壁和所述第一侧壁间隔件层的侧壁延伸；以及顶部电极，布置在所述自由层上方，其中，所述第一侧壁间隔件层还沿着所述顶部电极的侧壁延伸；其中，所述第一侧壁间隔件层和所述第二侧壁间隔件层沿着侧壁延伸，所述第二侧壁间隔件层到达所述顶部电极的顶面下方并且所述第一侧壁间隔件层到达与所述顶部电极的顶面齐平的位置处。
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