[发明专利]前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法

摘要

本发明涉及前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，在去除硅片损伤层后进行制绒，然后形成低表面浓度B掺杂P+发射结，边绝缘和背面抛光后在硅片的背面生长超薄的隧道氧化层SiO2及掺P多晶硅层，在P+发射结的表面沉积三氧化二铝层，在硅片正面采用PECVD法或磁控溅射法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，最后在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，背面形成全铝背场Al-BSF结构，用烘干炉进行烘干。与现有技术相比，本发明采用一层超薄的(<2nm)的隧道氧化SiO2和一层磷P-掺杂的硅层，能够极大地减少背表面的金属-半导体表面复合，其最明显的优势在于兼容传统电池制作工艺的基础上能够极大地提升电性能参数。

主权项

前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)利用将硅片在KOH或NaOH碱溶液及H2O2溶液中去除损伤层，接着用四甲基氢氧化铵及异丙醇构成混合溶液对硅片进行制绒，双面形成具有1‑4μm的金字塔绒面；(2)在硼源高温扩散炉管中，控制温度为850‑1000℃扩散20‑40min，然后控制温度为800‑900℃通入氧气推结，形成低表面浓度B掺杂P+发射结；(3)利用HF溶液去除硼硅玻璃BSG层，用HNO3和HF的混合溶液进行边绝缘和背面抛光；(4)利用湿法化学的方法在硅片的背面生长一层超薄的隧道氧化层SiO2，接着用PECVD或其他CVD法在其上生长掺P多晶硅层；(5)采取原子层沉积或PECVD技术对硅片形成P+发射结的表面沉积厚度为20‑30nm的三氧化二铝层；(6)在硅片正面采用PECVD法或磁控溅射法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，厚度为75‑85nm；(7)采用丝网印刷的方法在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，进行烧结，背面采取蒸镀或涂源法形成全铝背场Al‑BSF结构，用烘干炉进行烘干，确保电池片的双面都形成良好的接触即可。