[发明专利]一种逆导型IGBT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510813146.2 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105244274B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 罗海辉;肖海波;刘国友;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种逆导IGBT器件的制作方法，包括：提供半导体结构，该半导体结构包括相互分离的IGBT元胞区快速恢复二极管元胞区；在所述IGBT元胞区的上表面形成铜电极层；以所述铜电极层为阻挡层，对所述半导体结构进行离子注入；在所述快速恢复二极管元胞区的上表面形成金属电极层，所述金属电极层电连接所述IGBT元胞区上表面的铜电极层。通过离子注入对FRD元胞区进行少子寿命控制，提高了器件的性能。采用IGBT元胞区的铜电极层作为离子注入过程中的阻挡层，保护IGBT元胞区的半导体结构不受离子注入的影响，实现了在对FRD元胞区进行少子寿命控制的同时，不影响IGBT元胞区的少子寿命，进一步提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种逆导IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括：基于包括相互分离的IGBT元胞区和快速恢复二极管元胞区的半导体结构，在所述IGBT元胞区的上表面形成铜电极层，所述铜电极层包括发射极电极层和栅电极层；在所述半导体结构上的IGBT元胞区和快速恢复二极管元胞区之外的区域上形成注入阻挡层；以所述铜电极层为阻挡层，对所述半导体结构进行离子注入，所述离子注入用于所述快速恢复二极管元胞区的少子寿命控制；在所述快速恢复二极管元胞区的上表面形成金属电极层，所述金属电极层电连接所述IGBT元胞区上表面的铜电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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