[发明专利]包围集成电路布线附近的贯通基板通孔的非连续虚拟结构有效
申请号: | 201510813213.0 | 申请日: | 2015-11-20 |
公开(公告)号: | CN105633013A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 陈奋;穆克塔·G·法鲁克;约翰·M·萨夫兰 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体U.S.2有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超;王红艳 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及包围集成电路布线附近的贯通基板通孔的非连续虚拟结构。一种包括形成在基板上的多个堆叠式介电层级的三维(3D)集成电路布线,包括图案化在电路布线排除区域(KOZ)周围的对应介电层级中的多个非连续的虚拟墙。该非连续的虚拟墙形成在电路布线KOZ中并且具有沿着限定长度的第一方向延伸的外侧和相对的内侧。电路布线段位于第一金属层级处并且第二电路布线段位于与第一金属层级不同的第二金属层级处。第一金属层级和第二金属层级位于至少一个非连续的虚拟墙的相邻内侧。 | ||
搜索关键词: | 包围 集成电路 布线 附近 贯通 基板通孔 连续 虚拟 结构 | ||
【主权项】:
一种包括形成在基板上的多个堆叠式介电层级的三维集成电路布线,所述三维集成电路布线包括:多个金属层级,所述多个金属层级在相应的介电层中被图案化,每个介电层均限定所述三维集成电路布线的介电层级;多个电路过孔,所述多个电路过孔被图案化为将相应介电层级中的至少一个第一金属层级连接至不同的相应介电层级中的至少一个第二金属层级;电路布线排除区域,所述电路布线排除区域与贯通基板通孔相关联;以及多个非连续的虚拟墙元件,所述多个非连续的虚拟墙元件在所述三维集成电路布线中限定的电路布线排除区域内的对应介电层级中被图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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