[发明专利]避免电路短路的改良多晶硅虚置技术

摘要

本发明公开一种避免电路短路的改良多晶硅虚置技术，其中本发明提供一种鳍状晶体管SRAM存储元件，以及制作上述元件的方法，可防止当部分金属接触件靠近相邻虚置边缘单元的虚置栅极时，电流在位单元的金属接触件之间通过虚置栅极所产生的短路现象。本发明一实施例，通过一经改良的栅极空槽图案，延伸邻近位单元的一或多个栅极空槽的长度，以在图案化栅极层的过程中，图案化并区段化靠近主动存储器单元的金属接触件的虚置栅极线。在另一实施例中，图案化栅极层的过程中，调整相邻主动存储器单元的一或多条虚置栅极之间的距离，使得位于虚置边缘单元内的虚置栅极远离主动存储器单元的金属接触件。

主权项

一种半导体元件，包含：主动单元，包含有第一金属接触件以及第二金属接触件；虚置边缘单元，位于该主动单元旁；第一虚置栅极线，位于该虚置边缘单元内；以及第二虚置栅极线，位于该第一虚置栅极线旁并位于该虚置边缘单元内，其中该第一金属接触件以及该第二金属接触件位于该第一虚置栅极线旁，且该第一虚置栅极线在该第一金属接触件与该第二金属接触件之间的至少一位置处受到区段化。