[发明专利]互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510817979.6 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106783727B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;李小雨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构的形成方法，所述互连结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层表面形成盖帽层；在所述盖帽层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分盖帽层表面；以掩膜层为掩膜，刻蚀盖帽层至介质层表面，在盖帽层内形成开口；刻蚀所述掩膜层的侧壁，暴露出部分盖帽层的表面；沿所述盖帽层内的开口刻蚀部分厚度的介质层，形成第一通孔；对开口侧壁未被掩膜层覆盖的部分盖帽层进行氧化处理，形成氧化层；沿第一通孔刻蚀所述介质层至衬底表面形成第二通孔，使所述第二通孔的顶部宽度大于底部宽度；形成填充满第二通孔的金属层。上述方法可以提高形成的互连结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层表面形成盖帽层；在所述盖帽层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分盖帽层表面；以掩膜层为掩膜，刻蚀盖帽层至介质层表面，在盖帽层内形成开口；刻蚀所述掩膜层的侧壁，暴露出部分盖帽层的表面；沿所述盖帽层内的开口刻蚀部分厚度的介质层，形成第一通孔；对开口侧壁未被掩膜层覆盖的部分盖帽层进行氧化处理，形成氧化层；刻蚀所述氧化层并沿第一通孔刻蚀所述介质层至衬底表面，形成第二通孔，使所述第二通孔的顶部宽度大于底部宽度；形成填充满第二通孔的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
