[发明专利]高饱和磁化强度氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201510818327.4 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105463380B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 许小红;陈丹;江凤仙;马文睿 | 申请（专利权）人： | 山西师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 041000 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高饱和磁化强度(In |
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| 搜索关键词： | 饱和磁化强度 氧化物 半导体 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高饱和磁化强度(In1-x Fex )2 O3 氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法，包括如下步骤：(1)将利用两步阳极氧化法制备而成的双通多孔超薄阳极氧化铝模板转移到Al2 O3 (0001)基片上，得到覆盖有双通多孔超薄阳极氧化铝模板的基片，将转移好模板的基片进行水浴处理；同时采用固相反应法制备(In1-x Fex )2 O3 陶瓷靶材，制备方法如下：将In2 O3 和Fe2 O3 粉末按照其中In3+ 与Fe3+ 的摩尔比为(1-x)∶x的比例充分混合后依次进行混料、预烧、研磨、压片和靶材烧结，得到(In1-x Fex )2 O3 陶瓷靶材，其中x＝0.01～0.1，预烧粉末温度为800～950℃，时间为12h；靶材烧结温度为1000～1100℃，时间为12h；(2)利用所得到的(In1-x Fex )2 O3 陶瓷靶材，在覆盖有双通多孔超薄阳极氧化铝模板的基片上通过脉冲激光沉积法沉积纳米点阵列，得到覆有氧化铝模板的(In1-x Fex )2 O3 纳米点阵列；(3)将步骤(2)得到的覆有氧化铝模板的(In1-x Fex )2 O3 纳米点阵列利用湿化学方法将氧化铝模板去除，即得所述高饱和磁化强度的(In1-x Fex )2 O3 氧化物稀磁半导体纳米点阵列。
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