[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种制造半导体的方法，包含接收具有基板及置于基板上的第一层的装置，其中第一层包含沟渠。此方法还包含于施加第一材料于第一层之上及沟渠之中，其中此第一材料包含填充物和与填充物化学键结的成孔剂。此方法更包含固化第一材料以形成多孔材料层。多孔材料层具有第一部分和第二部分，第一部分置于沟渠之中，而第二部分则置于第一层之上。第一和第二部分大致上含有相同百分比的硅、氧和碳。第一和第二部分大致上含有相同的孔隙率。因此，由第一材料所形成的多孔材料层于其第一部分和第二部分皆具有极佳的均匀性质，可提升装置的效能与稳定度。制备第一材料和应用其于半导体装置上的制程，皆属简易并可轻易整合至现有的制造流程里。此外，第一材料本身具有成本效益。

主权项

1.一种制造半导体的方法，其特征在于，包含：接收包含基板及置于该基板上的第一层的装置，该第一层包含金属材料，其中该第一层包含沟渠，其中该沟渠的侧壁包含该金属材料；施加第一材料于该第一层之上并填入该沟渠之中，其中该第一材料包含填充物及在施加该第一材料之前与该填充物化学键结的成孔剂，其中该成孔剂包含以及固化该第一材料。