[发明专利]一种氮化铝单晶的位错腐蚀方法在审
| 申请号： | 201510820250.4 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105483833A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 刘京明;刘彤;杨俊;董志远;赵有文 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种氮化铝单晶的位错腐蚀方法，该位错腐蚀方法包括如下步骤：1）对氮化铝单晶片进行有机溶剂超声清洗；2）对氮化铝单晶片进行有机溶剂浸洗；3）用去离子水冲洗氮化铝单晶片的表面；4）将氮化铝单晶片放入化学腐蚀液中，在300-400℃的温度条件下进行位错腐蚀；5）用去离子水冲洗步骤4）中腐蚀后的氮化铝单晶片；6）干燥氮化铝单晶片。本申请的位错腐蚀方法腐蚀效率高、工艺控制性能好；且可以快速、清晰地显示位错。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 铝单晶 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化铝单晶的位错腐蚀方法，其特征在于，所述位错腐蚀方法包括如下步骤：1）对氮化铝单晶片进行有机溶剂超声清洗；2）对所述氮化铝单晶片进行有机溶剂浸洗；3）用去离子水冲洗所述氮化铝单晶片的表面；4）将所述氮化铝单晶片放入化学腐蚀液中，在300‑400℃的温度条件下进行位错腐蚀；5）用去离子水冲洗步骤4）中腐蚀后的氮化铝单晶片；6）干燥所述氮化铝单晶片。
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