[发明专利]PECVD晶圆的温度调控装置在审
| 申请号： | 201510820669.X | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105401134A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 胡昌文;王理正;吴得轶;张宇;詹辉 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C23C16/52 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 周长清;厉田 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PECVD晶圆的温度调控装置，包括炉体和设置在炉体内部的反应腔，反应腔内设有用于放置晶圆的平板加热组件，炉体顶部装设有用于密封的顶盖，顶盖上装设有伸至反应腔内的进气组件，顶盖与平板加热组件之间设有驱使冷却气体均匀流向晶圆的布气板。该调控装置具有可提高薄膜沉积的效率和性能、可实现精细调控晶圆温度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | pecvd 温度 调控 装置 | ||
【主权项】：
一种PECVD晶圆的温度调控装置，包括炉体（1）和设置在炉体（1）内部的反应腔（11），所述反应腔（11）内设有用于放置晶圆的平板加热组件（2），所述炉体（1）顶部装设有用于密封的顶盖（3），其特征在于：所述顶盖（3）上装设有伸至反应腔（11）内的进气组件（4），所述顶盖（3）与平板加热组件（2）之间设有驱使冷却气体均匀流向晶圆的布气板（5）。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
