[发明专利]带有保护屏蔽氧化物的分裂栅沟槽功率MOSFET有效
| 申请号： | 201510821015.9 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105702732B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;管灵鹏;薛宏勇;顾一鸣;向泱;黄士彰;谢卡尔·拉玛莫西;李文军;常虹;马督儿·博德;保罗·托鲁普;哈姆扎·依玛兹 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 美国加利福尼亚940*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 多个栅极沟槽形成在有源晶胞区中的半导体衬底中。一个或多个其他沟槽形成在不同区域。每个栅极沟槽都具有在底部的第一导电材料，以及在顶部的第二导电材料。在栅极沟槽中，第一绝缘层将第一导电材料与衬底隔开，第二绝缘层将第二导电材料与衬底隔开，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。一个或多个其他沟槽都含有一部分第一导电材料，呈半U型，在其他沟槽底部，以及第二导电材料在其他沟槽顶部。在其他沟槽中，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。第一绝缘层的厚度大于第三绝缘层的厚度，第三绝缘层的厚度大于第二绝缘层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 保护 屏蔽 氧化物 分裂 沟槽 功率 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：多个栅极沟槽，形成在有源晶胞区中的半导体衬底中，每个栅极沟槽都有第一导电材料在栅极沟槽底部，以及第二导电材料在栅极沟槽顶部，其中栅极沟槽中的第一导电材料与半导体衬底被第一绝缘层隔开，栅极沟槽中的第二导电材料与半导体衬底被第二绝缘层隔开，并且栅极沟槽中的第二导电材料与栅极沟槽中的第一导电材料被第三绝缘层隔开；以及一个或多个其他沟槽，形成在有源区之外的区域中的半导体衬底中，其中所述的一个或多个其他沟槽至少包含在所述一个或多个其他沟槽底部呈半U型的部分第一导电材料，以及在所述一个或多个其他沟槽顶部的部分第二导电材料，其中所述的一个或多个其他沟槽中的第一导电材料和第二导电材料被第三绝缘层隔开；一个或多个拾起沟槽，形成在拾起区中的半导体衬底中；所述的一个或多个拾起沟槽连接到一个或多个所述的栅极沟槽；一个或多个过渡沟槽，形成在有源晶胞区以外的拾起区中；所述的过渡沟槽位于多个栅极沟槽和一个拾起沟槽之间；所述的过渡沟槽底部的部分第一导电材料呈U型。
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