[发明专利]半导体装置

摘要

本发明是关于一种半导体装置。半导体装置包括半导体衬底，以及位于半导体衬底中的第一阱以及第二阱。通道区位于第一阱以及第二阱之间且邻近半导体衬底的上表面。第一隔离区以及第二隔离区分别位于第一阱以及第二阱上。栅极介电层位于第一隔离区以及第二隔离区之间的半导体衬底上。栅极电极具有第一部分以及第二部分，覆盖部分的栅极介电层且分别延伸至第一隔离区与第二隔离区。沟槽分隔栅极电极的第一部分与第二部分且具有第一宽度，并露出部分的栅极介电层，其中沟槽对应位于通道区与第一阱的边界上方。通过实施本发明，可降低衬底漏电流，避免电路失效，增加半导体装置的可靠性。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：一半导体衬底；一第一阱以及一第二阱，位于该半导体衬底中；一通道区，位于该第一阱以及该第二阱之间且邻近该半导体衬底的上表面；一第一隔离区以及一第二隔离区，分别位于该第一阱以及该第二阱上；一栅极介电层，介于该第一隔离区以及该第二隔离区之间的该半导体衬底上；一栅极电极，其具有一第一部分覆盖部分的该栅极介电层且延伸至该第一隔离区，以及一第二部分覆盖部分的该栅极介电层且延伸至该第二隔离区；一沟槽，分隔该栅极电极的该第一部分与该第二部分且具有一第一宽度，并露出部分的该栅极介电层，其中该沟槽对应位于该通道区与该第一阱的边界上方；以及一第一掺杂区以及一第二掺杂区，分别位于该第一隔离区以及该第二隔离区远离该栅极介电层的一侧。