[发明专利]一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510822198.6 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106783994B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 孙钱;周宇;冯美鑫;李水明;高宏伟;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法。该HEMT器件包括异质结构以及与异质结构连接的源极、漏极和栅极，该异质结构包括作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体，该第二半导体形成于第一半导体上，该异质结构内形成有二维电子气；该第二半导体上还依次形成有量子阱层和第三半导体，该第三、第二半导体的导电类型不同，该栅极与第三半导体电性接触。本发明通过在增强型HEMT器件中的栅极区域及非栅极区域直接集成量子阱结构，使得器件处于开态时，同时能够实现发光，该发光可以有效辐射在栅‑漏、栅‑源之间的表面区域并深入至材料内部，能够加快被各类缺陷态所俘获的电子的释放过程，从而有效抑制器件电流崩塌效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 电流 崩塌 效应 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件，包括异质结构以及与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，所述异质结构包括作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体，所述第二半导体形成于第一半导体上，所述异质结构内形成有二维电子气；其特征在于：所述第二半导体上还依次形成有量子阱层和第三半导体，所述第三半导体和第二半导体的导电类型不同，所述栅极与所述第三半导体电性接触，并且，所述栅极分布于源极和漏极之间，并且所述量子阱层被所述栅极完全掩盖，或者，所述量子阱层分布在位于所述栅极下方及所述栅极与源极和/或漏极之间的区域内。
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