[发明专利]二维孔洞结构二氧化锰纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201510822459.4 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105314684B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘宗怀;张改妮 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | C01G45/02 | 分类号： | C01G45/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维孔洞结构二氧化锰纳米片的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。该方法是将层状二氧化锰纳米层分散液与六水合氯化铁、过量铜线在酸性条件下常温反应制备而成。本发明反应条件温和、生产成本低、无需添加模板剂及热分解处理，二氧化锰纳米片上形成的孔洞的大小为4～10nm，且所得产物的比表面积为170～300m2·g‑1，在电流密度为0.25A·g‑1时，其质量比容量为180～310F·g‑1，有望作为超级电容器用电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 孔洞 结构 二氧化锰 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二维孔洞结构二氧化锰纳米片的制备方法，其特征在于：将六水合氯化铁溶解于盐酸水溶液中，然后向其中加入层状二氧化锰纳米层分散液和铜线，在常温条件下搅拌3～9小时，其中二氧化锰与铜线、六水合氯化铁、盐酸的摩尔比为1:0.50～1.50:0.10～0.40:5～10，取出铜线，将生成物用去离子水抽滤洗涤后用盐酸水溶液处理，然后用去离子水洗至滤液为中性，冷冻干燥，制备成二维孔洞结构二氧化锰纳米片。
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