[发明专利]半导体元件、在其中增加表面掺杂浓度的方法及形成方法在审
| 申请号： | 201510822669.3 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105405750A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;叶茂荣;蔡俊雄;李宗鸿;林大文;郭紫微 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/285;H01L21/8238;H01L29/45;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 石海霞;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开了一种半导体元件、在其中增加表面掺杂浓度的方法及形成方法。该半导体元件的形成方法包括：提供一基底；进行一掺杂注入工艺，以在该基底内形成一掺杂区；在进行该掺杂注入工艺之后，对该掺杂区进行一硼掺杂注入；对该硼掺杂注入进行退火；以及在该硼掺杂注入退火之后，在该掺杂区之上形成一硅化物层。本发明的方法可以很容易地与CMOS工艺的流程整合，并且不需要额外复杂的步骤去达到所需的结果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 其中 增加 表面 掺杂 浓度 方法 形成 | ||
【主权项】：
一种形成半导体元件的方法，包括：提供一基底；进行一掺杂注入工艺，以在该基底内形成一掺杂区；在进行该掺杂注入工艺之后，对该掺杂区进行一硼掺杂注入；对该硼掺杂注入进行退火；以及在该硼掺杂注入退火之后，在该掺杂区之上形成一硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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