[发明专利]功率集成器件、包括其的电子设备以及包括其的电子系统在审
| 申请号： | 201510823071.6 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105895696A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 金旲勋;李相贤 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种功率集成器件包括：半导体层，其具有第一导电性；源极区域和漏极区域，每个具有第二导电性并且被设置在半导体层中，其中源极区域与漏极区域彼此间隔开；第一漂移区域，其具有第二导电性，被设置在半导体层中，并且围绕漏极区域；第二漂移区域，其具有第二导电性，被设置在半导体层中，接触第一漂移区域的侧壁，并且具有低于第一漂移区域的杂质浓度的杂质浓度；栅极绝缘层，其被设置在源极区域与第二漂移区域之间的沟道区域之上，并且延伸到第二漂移区域之上；场绝缘板，其被设置在第二漂移区域和第一漂移区域之上，接触栅极绝缘层的侧壁，并且具有平面结构；以及栅极导电图案，其被设置在栅极绝缘层之上，其中栅极导电图案延伸到场绝缘板之上。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 集成 器件 包括 电子设备 以及 电子 系统 | ||
【主权项】：
一种功率集成器件，包括：半导体层，其具有第一导电性；源极区域和漏极区域，每个具有第二导电性并且被设置在半导体层中，其中，源极区域与漏极区域彼此间隔开；第一漂移区域，其具有第二导电性，被设置在半导体层中，并且围绕漏极区域；第二漂移区域，其具有第二导电性，被设置在半导体层中，接触第一漂移区域的侧壁，并且具有比第一漂移区域的杂质浓度低的杂质浓度；栅极绝缘层，其被设置在源极区域与第二漂移区域之间的沟道区域之上，并且延伸到第二漂移区域之上；场绝缘板，其被设置在第二漂移区域和第一漂移区域之上，接触栅极绝缘层的侧壁，并且具有平面结构；以及栅极导电图案，其被设置在栅极绝缘层之上，其中，栅极导电图案延伸到场绝缘板之上。
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