[发明专利]高发光效率的量子阱组合LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510823492.9 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105355737A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 柳颜欣;曲爽;马旺;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高发光效率的量子阱组合LED外延结构及其制备方法，该外延结构是自下至上依次为衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、有源层、P型AlGaN层、P型GaN层和P型InGaN接触层，有源层包括下层多量子阱结构、恒温多量子阱结构和上层多量子阱结构，下层多量子阱结构为InGaN势阱层和GaN势垒层周期性叠加构成，恒温多量子阱结构为恒温InGaN势阱层和恒温GaN势阱层周期性叠加构成，上层多量子阱结构为InGaN势阱层和GaN势垒层周期性叠加构成；其制备方法是在金属有机物化学气相沉积设备的反应室中自下至上依次为制备各层。本发明能够有效降低阱垒界面间的应力，缓解能带的弯曲，提高空穴和电子注入有源区效率和辐射复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 效率 量子 组合 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高发光效率的量子阱组合LED外延结构，自下至上依次为衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、有源层、P型AlGaN层、P型GaN层和P型InGaN接触层，其特征是，有源层包括下层多量子阱结构、恒温多量子阱结构和上层多量子阱结构，下层多量子阱结构为InGaN势阱层和GaN势垒层周期性叠加构成；恒温多量子阱结构为恒温InGaN势阱层和恒温GaN势阱层周期性叠加构成；上层多量子阱结构为InGaN势阱层和GaN势垒层周期性叠加构成。
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