[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
申请号: | 201510823680.1 | 申请日: | 2015-11-24 |
公开(公告)号: | CN105470143A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 青岛金智高新技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 青岛申达知识产权代理有限公司 37243 | 代理人: | 蒋遥明 |
地址: | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,该半导体结构包括衬底、装置区、第一掺杂区与栅结构;第一掺杂区形成在邻近装置区的衬底中;栅结构位于第一掺杂区上;第一掺杂区与栅结构是互相重叠的。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体结构,包括:一衬底;一装置区;一第一掺杂区,形成在邻近该装置区的该衬底中;以及一栅结构,位于该第一掺杂区上,其中该第一掺杂区与该栅结构是互相重叠的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造