[发明专利]一种IGBT驱动的栅极保护电路有效

专利信息
申请号: 201510824219.8 申请日: 2015-11-24
公开(公告)号: CN105337479B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 贺觅知;徐玉峰;王传芳 申请(专利权)人: 北京赛德高科铁道电气科技有限责任公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H03K17/08
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;郑哲
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种IGBT驱动的栅极保护电路,该电路在典型栅极保护电路的基础上进行改进,实现了不同栅极驱动电压尖峰和瞬态浪涌的保护;此外,该电路针对不同栅极电平进行不同保护阈值的保护,其电路结构简单,通用性强,可靠性强,不仅能够良好的实现IGBT驱动中栅极保护电路的保护功能,保障IGBT变流器安全可靠地运行,同时还能够针对两种不同的驱动脉冲电平进行保护阈值的自动切换,适应了不同电平驱动技术的发展。
搜索关键词: 一种 igbt 驱动 栅极 保护 电路
【主权项】:
1.一种IGBT驱动的栅极保护电路,其特征在于,包括:连接驱动板输出驱动脉冲信号的端口G与端口E,连接IGBT栅极的端口IGBT‑G及连接IGBT射级的端口IGBT‑E;所述端口G与端口IGBT‑G连通,记为线路1;所述端口E与端口IGBT‑E连通,记为线路2;所述线路1与线路2中连有:导通电阻R1,泄放电阻R2,保护电阻R3、R4、R5、R6,吸收电容C1,瞬态抑制二极管TVS1和TVS2,NMOS管Q1,NPN三级管Q2,保护二极管D1和D2,以及稳压管Z1和Z2;其中:所述稳压管Z1和保护二极管D2以及保护电阻R3与R4依次串联连接,且并联在线路1与线路2之间;所述保护二极管D1与电容C2串联连接,且并联在线路1与线路2之间;所述泄放电阻R2设置在线路1中,且连接于保护二极管D1与稳压管Z1之间;所述瞬态抑制二极管TVS1和TVS2串联连接,且并联在线路1与线路2之间;所述导通电阻R1与吸收电容C1分别并联在线路1与线路2之间;所述保护电阻R5、R6以及稳压管Z2依次串联连接,该串联电路的一端连接在保护二极管D1与电容C2之间,另一端连接线路2;所述NPN三级管Q2的三个端口分别连接保护电阻R3与R4之间、保护电阻R5与R6之间,以及线路2;其中,所述NPN三级管Q2的集电极连接保护电阻R5与R6之间,基极连接保护电阻R3与R4之间,发射极连接线路2;所述NMOS管Q1的三个端口分别连接瞬态抑制二极管TVS1和TVS2之间、保护电阻R6与稳压管Z2之间,以及线路2;其中,所述NMOS管Q1的漏极连接瞬态抑制二极管TVS1和TVS2之间,栅极连接保护电阻R6与稳压管Z2之间,源极连接线路2。
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