[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供有浅沟槽隔离结构、横跨浅沟槽隔离结构的条状栅极区的半导体衬底；在半导体衬底上从下到上依次形成隧穿介质材料层、捕获电荷材料层、顶部介质材料层和保护材料层，隧穿介质材料层和顶部介质材料层的材料相同，捕获电荷材料层和保护材料层的材料相同；用各向异性干刻工艺刻蚀保护材料层和顶部介质材料层，在栅极区形成保护层和顶部介质层，在栅极区两侧的浅沟槽隔离结构顶部拐角处形成残留保护层和残留顶部介质层；用湿刻工艺刻蚀捕获电荷材料层和隧穿介质材料层，在栅极区形成捕获电荷层和隧穿介质层，同时去除保护层、残留保护层和残留顶部介质层。所述方法避免在浅沟槽隔离结构顶部拐角处残留栅电极。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构、横跨所述浅沟槽隔离结构的条状的栅极区；在所述半导体衬底上从下到上依次形成隧穿介质材料层、捕获电荷材料层、顶部介质材料层和保护材料层，所述隧穿介质材料层和顶部介质材料层的材料相同，所述捕获电荷材料层和保护材料层的材料相同；采用各向异性干刻工艺刻蚀所述保护材料层和所述顶部介质材料层直至暴露出所述捕获电荷材料层的表面，在所述栅极区形成保护层和顶部介质层，在栅极区两侧的浅沟槽隔离结构的顶部拐角处形成残留保护层和残留顶部介质层，所述残留保护层由栅极区两侧浅沟槽隔离结构的顶部拐角处的保护材料层形成，所述残留顶部介质层由栅极区两侧浅沟槽隔离结构的顶部拐角处的顶部介质材料层形成，所述栅极区两侧浅沟槽隔离结构的顶部拐角处还存在捕获电荷材料层和隧穿介质材料层；采用湿刻工艺刻蚀捕获电荷材料层和隧穿介质材料层直至暴露出半导体衬底表面，在所述栅极区形成捕获电荷层和隧穿介质层，同时去除保护层、残留保护层和残留顶部介质层、以及栅极区两侧浅沟槽隔离结构的顶部拐角处的捕获电荷材料层和隧穿介质材料层。