[发明专利]包括半导体电阻器和电阻补偿电路的集成电路及相关方法有效
申请号: | 201510824958.7 | 申请日: | 2015-11-24 |
公开(公告)号: | CN106328646B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | A·帕加尼;A·莫塔 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L29/8605 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及包括半导体电阻器和电阻补偿电路的集成电路及相关方法。集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻,并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压,以调节第一电阻性区域的工作电阻。 | ||
搜索关键词: | 包括 半导体 电阻器 电阻 补偿 电路 集成电路 相关 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:半导体衬底;半导体电阻器,包括在所述半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱,在所述阱中具有蜿蜒的形状和第二导电性类型的第一电阻性区域,在所述半导体衬底中的第二电阻性区域,所述第二电阻性区域邻近所述阱、具有所述第一导电性类型、具有L形并且被耦合到所述第一电阻性区域,承载在所述阱内并与所述第一电阻性区域相关联的调节元件,所述调节元件具有所述第一导电性类型,以及测试元件,所述测试元件被耦合在所述第一电阻性区域和所述第二电阻性区域之间;以及电阻补偿电路,在所述半导体衬底上并且被配置为基于所述测试元件来测量所述第一电阻性区域和所述第二电阻性区域的初始电阻,以及基于测得的初始电阻在所述调节元件处产生电压,以调节所述第一电阻性区域的工作电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510824958.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的