[发明专利]一种锗熔体浮渣清除方法有效
| 申请号： | 201510826525.5 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105401214B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李宝学;包文东;赵飞宇;罗玉萍 | 申请（专利权）人： | 昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B15/00 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650503 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 一种锗熔体浮渣清除方法，涉及浮渣清除技术领域，尤其是一种锗熔体浮渣清除方法。本发明的方法瞬间改变炉内压力，使熔体液面在压力差的作用下发生对流，浮渣在热对流的影响下漂移至炉体中央，之后将锗单晶作为浮渣提出的工具，多次反复重复直至除净炉内浮渣。本发明的一种锗熔体浮渣清除方法，无需改造单晶炉设备，节约成本。未引入新的除渣设备及手段，减少了固相、气相杂质的引入。与其他去除浮渣相比，这种方法比表面积较大，能除去更多的浮渣，具有耗时短、占用物料少，浮渣可以全部清除等优点。同时，由于公司产业链的优化特性，粘附浮渣的单晶可以回炉冶炼，减少原料损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗熔体 浮渣 清除 方法 | ||
【主权项】：
一种锗熔体浮渣清除方法，高温熔化原料后，采用提拉法去除浮渣，其特征在于在除浮渣时先对熔化炉内进行抽真空，瞬间改变炉内压力，使熔体(7)液面在压力差的作用下发生对流，浮渣在热对流和压力差的影响下漂移至炉体中央，之后将锗单晶(6)作为浮渣提出的工具，在副室(3)冷却的锗单晶(6)降至熔体(7)液面，利用浮渣与Ge熔体的结晶温度不同，使浮渣粘附在锗单晶(6)表面，锗单晶(6)完全没入熔体(7)后就提起来，提至副室(3)冷却一到两分钟再没入熔体(7)中，反复操作直至除净炉内浮渣。
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