[发明专利]高速电子迁移率场效晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510826948.7 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106373883B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 范纯祥;林群雄;黄懋霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高速电子迁移率场效晶体管及其形成方法。高速电子迁移率场效晶体管(HEMT)的实施例，包括栅极电极于半导体基材上、及多层半导体帽冠于半导体基材上且邻于栅极电极。多层半导体帽冠包含第一半导体层及材质异于第一半导体层的第二半导体层。第一半导体层通过第一间隔而与栅极电极侧向相间隔，而第二半导体层通过较第一间隔更大的第二间隔而与该栅极电极侧向相间隔。如此所形成的高速电子迁移率场效晶体管(HEMT)的电阻会下降，而能优越地改善晶体管的导电度(Gm)及通态电流(Ion)特性，却不增加漏电电流。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 电子 迁移率 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高速电子迁移率场效晶体管，其特征在于，包含：一栅极电极于一半导体基材之上；以及一多层半导体帽冠于该半导体基材之上且邻于该栅极电极，其中该多层半导体帽冠包含：一第一半导体层，其中该第一半导体层通过一第一间隔而与该栅极电极侧向相间隔；以及一第二半导体层，其位于该第一半导体层下，包含相异于第一半导体层的一材质，其中该第二半导体层通过较该第一间隔更大的一第二间隔而与该栅极电极侧向相间隔，其中该第一半导体层侧向延伸超过该第二半导体层的侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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