[发明专利]一种无电阻基准电压源有效

专利信息
申请号: 201510828318.3 申请日: 2015-11-25
公开(公告)号: CN105242738B 公开(公告)日: 2017-01-25
发明(设计)人: 石跃;周泽坤 申请(专利权)人: 成都信息工程大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 代理人: 葛启函
地址: 610225 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电源技术领域,具体的说涉及一种无电阻基准电压源。本发明提供的一种无电阻基准电压源,包括正温系数电流源模块、基准电压产生模块和衬底偏置电压调整模块;所述正温系数电流源模块和衬底偏置电压调整模块分别与基准电压产生模块连接;其中,正温度系数电流源模块产生正温系数电流给工作在饱和区的NMOS管MN4提供偏置电流;衬偏调整模块为该NMOS管MN4调整衬底偏置电压,进而起到调整阈值的作用;该NMOS的栅极和漏极接在一起,输出基准电压,克服工艺波动对基准源输出带来的影响。本发明的有益效果为,采用无电阻技术减小版图面积同时输出低基准电压源,还可有效提高基准电压源精度。
搜索关键词: 一种 电阻 基准 电压
【主权项】:
一种无电阻基准电压源,包括正温系数电流源模块、基准电压产生模块和衬底偏置电压调整模块;所述正温系数电流源模块和衬底偏置电压调整模块分别与基准电压产生模块连接;所述正温系数电流源模块由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3和电容C构成;其中,第一PMOS管MP1的源极接电源,其栅极接第三PMOS管MP3的漏极;第二PMOS管MP2的源极接电源,其栅极接第三PMOS管MP3的漏极;第三PMOS管的源极接电源,其栅极与漏极互连;第一NMOS管MN1的漏极接第一PMOS管MP1的漏极,其栅极接第二PMOS管MP2的漏极;第二NMOS管MN2的漏极和栅极接第二PMOS管MP2的漏极;第三NMOS管MN3的漏极接第三PMOS管MP3的漏极,其栅极接第一PMOS管MP1的漏极;第六PMOS管MP6的栅极和漏极接地,其源极接第三NMOS管MN3的源极;第七PMOS管MP7的栅极和漏极接地,其源极接第一NMOS管MN1的源极;第八PMOS管MP8的栅极和漏极接地,其源极接第二NMOS管MN2的源极;电容C的一端接地,其接第一PMOS管MP1的漏极;所述基准电压产生模块由第四PMOS管MP4和第四NMOS管MN4构成;其中,第四PMOS管MP4的源极接电源,其栅极接第三PMOS管MP3的漏极;第四NMOS管MN4的栅极和漏极互连,其源极接地,其漏极接第四PMOS管MP4的漏极;第四PMOS管MP4漏极与第四NMOS管MN4漏极的连接点为基准电压输出端;所述衬底偏置电压调整模块由第五PMOS管MP5和第五NMOS管MN5构成;其中,第五PMOS管MP5的源极接电源,其栅极接第三PMOS管MP3的漏极;第五NNMOS管MN5的栅极和漏极互连,其源极接地,其漏极接第五PMOS管MP5的漏极;第五NMOS管MN5的栅极接第四NMOS管MN4的衬底。
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