[发明专利]氧化物半导体层的结晶方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510828832.7 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105679646B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 金敏澈;张允琼;朴权植;李昭珩;郑昊暎;柳夏珍;梁晸硕 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 氧化物半导体层的结晶方法、半导体器件及其制造方法。所公开的氧化物半导体结晶方法可包括以下步骤：在将基板加热至200℃至300℃的温度的同时，在所述基板上沉积In‑Ga‑Zn氧化物；以及对所沉积的In‑Ga‑Zn氧化物进行热处理，从而形成贯穿其整个厚度结晶的氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 结晶 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种使氧化物半导体层结晶的方法，该方法包括以下步骤：在将基板加热至200℃至300℃的温度的同时，使用In‑Ga‑Zn靶在所述基板上沉积In‑Ga‑Zn氧化物，其中，在所述In‑Ga‑Zn靶中，Zn的原子百分比高于In或Ga的原子百分比，并且In的原子百分比等于Ga的原子百分比；以及对所沉积的In‑Ga‑Zn氧化物进行热处理，从而形成贯穿氧化物半导体层的整个厚度结晶的所述氧化物半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
