[发明专利]具有伪管芯的扇出堆叠系统级封装(SIP)及其制造方法有效
| 申请号： | 201510830657.5 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106098637B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 林宗澍;陈宪伟;谢政杰;黄昶嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/52;H01L23/36;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种示例性封装件包括第一扇出层、位于第一扇出层上方的扇出再分布层(RDL)以及位于扇出RDL上方的第二扇出层。第一扇出层包括一个或多个第一器件管芯以及沿着一个或多个第一器件管芯的侧壁延伸的第一模塑料。第二扇出层包括接合至扇出RDL的一个或多个第二器件管芯、接合至扇出RDL的伪管芯以及沿着一个或多个第二器件管芯和伪管芯的侧壁延伸的第二模塑料。扇出RDL将一个或多个第一器件管芯电连接至一个或多个第二器件管芯，并且伪管芯基本上没有任何有源器件。本发明的实施例还涉及具有伪管芯的扇出堆叠系统级封装(SIP)及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 管芯 堆叠 系统 封装 sip 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装件，包括：第一扇出层，包括：一个或多个第一器件管芯；和第一模塑料，沿着所述一个或多个第一器件管芯的侧壁延伸；扇出再分布层(RDL)，位于所述第一扇出层上方；以及第二扇出层，位于所述扇出再分布层上方，其中，所述第二扇出层包括：一个或多个第二器件管芯，接合至所述扇出再分布层，其中，所述扇出再分布层将所述一个或多个第一器件管芯电连接至所述一个或多个第二器件管芯；伪管芯，接合至所述扇出再分布层，其中，所述伪管芯没有任何有源器件；和第二模塑料，沿着所述一个或多个第二器件管芯和所述伪管芯的侧壁延伸；其中，所述一个或多个第一器件管芯具有第一总表面面积，其中，所述一个或多个第二器件管芯具有第二总表面面积，其中，所述第一总表面面积小于所述第二总表面面积，并且其中，所述伪管芯包括铜。
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