[发明专利]芯片封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510831135.7 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105702648B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 许文松;林世钦;张垂弘;郑道 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法。该芯片封装结构包括︰第一封装体，其中，该第一封装体包括：至少一半导体晶片；介电结构，围绕该半导体晶片；以及多个导电结构，穿过该介电结构且围绕该半导体晶片；中介层基底，位于该第一封装体上方；多个导电特征元件，位于该中介层基底内或位于该中介层基底上方；以及第二封装体，位于该中介层基底上方，其中，该第一封装体经由该多个导电结构及该多个导电特征元件电性耦接该第二封装体。本发明提供的芯片封装结构及其制造方法可明显降低相关的制程成本及制程时间。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括︰第一封装体，其中，该第一封装体包括：至少一半导体晶片；第一介电结构，围绕该半导体晶片；以及第二介电结构，围绕该第一介电结构，其中该第一介电结构未覆盖该第二介电结构的上表面；多个导电结构，穿过该第二介电结构且围绕该半导体晶片；中介层基底，位于该第一封装体上方；多个导电特征元件，位于该中介层基底内或位于该中介层基底上方；以及第二封装体，位于该中介层基底上方，其中，该第一封装体经由该多个导电结构及该多个导电特征元件电性耦接该第二封装体；该中介层基底与该第一封装体隔开，以及该中介层基底与该第二封装体隔开。
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