[发明专利]用于改进型磁阻式随机存取存储器工艺的垂直磁性隧道结有效
| 申请号： | 201510831564.4 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105977376B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 游文俊;凃国基;张至扬;陈侠威;杨晋杰;石昇弘;朱文定;廖钰文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成包括垂直MTJ(磁性隧道结)的磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件的方法。该方法包括在底部电极层上方形成磁性隧道结(MTJ)。顶部电极层形成在MTJ的上表面的上方，并且硬掩模形成在顶部电极层的上表面的上方。执行第一蚀刻穿过未被硬掩模掩蔽的顶部电极层和MTJ的未被硬掩模掩蔽的区域，以形成顶部电极和蚀刻的MTJ。形成侧壁间隔件，侧壁间隔件从硬掩模或顶部电极的上表面、沿着顶部电极和蚀刻的MTJ的侧壁延伸，到达底部电极的上表面之下的位置处或与底部电极的上表面大致齐平的位置处。还提供生成的MRAM器件结构。本发明提供了用于改进型磁阻式随机存取存储器工艺的垂直磁性隧道结。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进型 磁阻 随机存取存储器 工艺 垂直 磁性 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元的方法，所述方法包括：在设置于介电层中的底部电极通孔上方形成介电保护层；在所述介电保护层上方形成底部电极层，其中，所述底部电极层具有延伸穿过所述介电保护层的中心部分并且具有下表面与所述介电保护层的上表面直接接触的外围部分；在所述底部电极层上方形成磁性隧道结MTJ；在所述MTJ的上表面的上方形成顶部电极层；在所述顶部电极层的上表面的上方形成硬掩模；执行第一蚀刻，穿过未被所述硬掩模掩蔽的所述顶部电极层和未被所述硬掩模掩蔽的所述MTJ的区域，以形成顶部电极和蚀刻的MTJ；以及形成侧壁间隔件，所述侧壁间隔件从所述硬掩模或所述顶部电极的上表面沿着所述顶部电极和所述蚀刻的MTJ的侧壁延伸，到达所述底部电极层的上表面之下的位置处或与所述底部电极层的上表面齐平的位置处。
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