[发明专利]碳骨架包覆的高稳定性有机薄膜太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201510833156.2 | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN105261704B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 于军胜;郑丁;王瀚雨;邢珅 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 晏辉 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种碳骨架包覆的高稳定性有机薄膜太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池采用反型结构,包括衬底(1),透明导电阴极ITO(2),石墨烯阴极骨架层(3),阴极缓冲层(4),光活性层(5),阳极缓冲层(6),氧化石墨烯阳极骨架层(7),金属阳极(8)。在缓冲层与电极之间添加石墨烯和氧化石墨烯骨架层,能有效地增加改善缓冲层与电极的欧姆接触,降低了器件串联电阻,提高了载流子传输效率,并且大大增加了器件的抗水氧侵蚀性能,在提高了器件的光电转换效率的同时,增强了器件的稳定性。 1 | ||
搜索关键词: | 有机薄膜太阳能电池 氧化石墨烯 高稳定性 电极 包覆的 缓冲层 石墨烯 碳骨架 制备 载流子传输效率 阴极 光电转换效率 阳极缓冲层 阴极缓冲层 太阳能电池 反型结构 光活性层 金属阳极 欧姆接触 器件串联 透明导电 阳极骨架 阴极骨架 骨架层 抗水氧 有效地 衬底 电阻 侵蚀 | ||
该太阳能电池采用反型结构,从下到上依次制备为:衬底,透明导电阴极ITO,石墨烯阴极骨架层,阴极缓冲层,光活性层,阳极缓冲层,氧化石墨烯阳极骨架层,金属阳极;
其中各器件制备过程包括以下步骤:
(1)对由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;
(2)在透明导电阴极ITO表面喷涂氧化石墨烯分散液,再通过高温热还原反应还原为氧化石墨烯阴极骨架层,其反应温度为120~240℃,反应时间为20~90分钟;
(3)在石墨烯阴极骨架层上采用旋涂或喷涂或真空蒸镀方式制备阴极缓冲层;
(4)在阴极缓冲层上采用旋涂或喷涂或自组装或喷墨打印或丝网印刷的方式制备PTB7:PCBM光活性层;
(5)在活性层上旋涂PEDOT:PSS或蒸镀MoO3作为阳极缓冲层;
(6)在阳极缓冲层上喷涂氧化石墨烯分散液,制备得到氧化石墨烯阳极极骨架层;
(7)在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极。
2.根据权利要求1所述的一种碳骨架包覆的高稳定性有机薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述石墨烯阴极骨架层及氧化石墨烯阳极骨架层厚度范围为10~50 nm。3.根据权利要求1所述的一种碳骨架包覆的高稳定性有机薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述阴极缓冲层材料为TPBi、BCP、Bphen、Alq3、ZnO或TiO2的一种或多种,厚度范围为1~20nm。4.根据权利要求1所述的一种碳骨架包覆的高稳定性有机薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述光活性层由电子给体材料PTB7与电子受体材料PCBM的混合溶液制备而成,厚度范围为80~100 nm;所述混合溶液中PTB7和PCBM的质量百分比为1:2~2:1。5.根据权利要求1所述的一种碳骨架包覆的高稳定性有机薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述阳极缓冲层材料为PEDOT:PSS或MoO3,厚度范围为5~20 nm。6.根据权利要求1所述的一种碳骨架包覆的高稳定性有机薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述金属阳极材料为Ag、Al或Cu中的一种或多种,薄层厚度范围为100~200 nm。7.根据权利要求1所述的一种碳骨架包覆的高稳定性有机薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述衬底材料为玻璃或透明聚合物,所述透明聚合物材料为聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸的一种或多种。8.根据权利要求1所述的一种碳骨架包覆的高稳定性有机薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤(2)中所述的氧化石墨烯分散液的组成为:氧化石墨烯水分散液15 %~30 %,浓度为2mg/ml,甲醇15 %~60 %,乙醇10%~70 %。9.根据权利要求1所述的一种碳骨架包覆的高稳定性有机薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,光活性层采用质量百分比为1:2~2:1的PTB7和PCBM构成的混合溶液来制备,混合溶液的浓度为5~10 mg/ml。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510833156.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择