[发明专利]LED外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种LED外延片及其制备方法，该LED外延片包括从下至上依序设置的衬底、低温缓冲GaN层、不掺杂GaN层、N型GaN层、多周期量子阱层、P型AlGaN层和P型GaN层。多周期量子阱层包括6～14个周期的InxGa1‑xN层/GaN层，在任一周期内，GaN层设置于InxGa1‑xN层上，InxGa1‑xN层的下方设有InN薄层，InN薄层的厚度为0.2～1nm，x为0.20～0.22。InN薄层可使得In原子在到达InxGa1‑xN层之前就达到动态饱和平衡，减少了InxGa1‑xN层中In的偏析现象，从而降低量子斯塔克效应导致的电子和空穴波函数的分离程度，以提高LED的内量子效率。

主权项

1.一种LED外延片，其特征在于，包括从下至上依序设置的衬底(10)、低温缓冲GaN层(20)、不掺杂GaN层(30)、N型GaN层(40)、多周期量子阱层(50)、P型AlGaN层(60)和P型GaN层(70)；所述多周期量子阱层(50)包括6～14个周期的InxGa1‑xN层(52)/GaN层(53)，在任一周期内，从下至上依次设有InN薄层(51)、InxGa1‑xN层(52)和GaN层(53)，所述InN薄层(51)的厚度为0.5nm，x为0.20～0.22；所述InxGa1‑xN层(52)的厚度为2.5‑3nm，所述GaN层(53)的厚度为11‑12nm，所述InN薄层(51)为连续镀膜生长的膜层。