[发明专利]一种连续型非晶硅薄膜处理系统及方法有效
申请号: | 201510834067.X | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN106783529B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 许修齐;王仁宏 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B23K26/53 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体制作技术领域,尤其涉及一种连续型非晶硅薄膜处理系统,包括:激光模块,第二光学镜片,第一光学镜片,激光模块发射激光光束;第二光学镜片,设置于非晶硅薄膜的上方,第一光学镜片,临近第二光学镜片设置于非晶硅薄膜的上方;通过第二光学镜片对非晶硅薄膜表面进行预处理,该预处理不会使得非晶硅薄膜表面晶化,但是会在非多晶薄膜表面以下0.25μm深度造成损失。再通过第一光学镜片进行晶化处理,第一光学镜片的激光光束能经过预处理的非多晶薄膜进行均匀晶化处理。 | ||
搜索关键词: | 一种 连续 型非晶硅 薄膜 处理 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种连续型非晶硅薄膜处理系统,应用于对非晶硅薄膜的晶化处理中,其特征在于,包括:激光模块,发射激光光束;第二光学镜片,设置于所述非晶硅薄膜的上方,且所述激光模块发射的部分激光光束通过所述第二光学镜片透射至所述非晶硅薄膜的表面,以对所述非晶硅薄膜进行预处理工艺;以及第一光学镜片,临近所述第二光学镜片设置于所述非晶硅薄膜的上方;其中所述第二光学镜片还将剩余的所述激光光束反射至所述第一光学镜片,且所述第一光学镜片将所述剩余的所述激光光束全反射至经所述预处理工艺处理后的所述非晶硅薄膜的表面,以将所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造