[发明专利]用于随钻测量的中子发生器在审

专利信息
申请号: 201510834132.9 申请日: 2015-11-25
公开(公告)号: CN105307374A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 艾维平;窦修荣;王鹏;贾衡天;毛为民;曹冲;范锦辉;蓝蓉;彭浩 申请(专利权)人: 中国石油集团钻井工程技术研究院
主分类号: H05H3/06 分类号: H05H3/06
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 陆军
地址: 102206 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请公开了一种用于随钻测量的中子发生器,包括:由上到下依次布置的上连接头、弹簧减震机构、中子发生器上连接器、半导体制冷装置、中子管;容纳上述部件的保护套筒,其中,半导体制冷装置被设置在中子管的加速电极的外侧,用于对中子管的加速电极进行降温冷却,半导体制冷装置的冷却面和中子管的外壳紧密接触,半导体制冷装置的散热面与保护套筒之间填充有导热硅脂。本发明在基于中子发生器的随钻中子孔隙度测量中,采取有效减震措施,使中子发生器满足随钻要求,通过控制半导体制冷装置,有效解决了中子管过热导致的中子产额不稳定的问题,分时断续控制驱动脉冲方式延长了中子发生器的工作时间。
搜索关键词: 用于 测量 中子 发生器
【主权项】:
一种用于随钻测量的中子发生器,包括:由上到下依次布置的上连接头(1)、弹簧减震机构(2)、中子发生器上连接器(9)、半导体制冷装置(3)、中子管(10);容纳上述部件的保护套筒(5),其中,半导体制冷装置(3)被设置在中子管(10)的加速电极的外侧,用于对中子管(10)的加速电极进行降温冷却,半导体制冷装置(3)的冷却面和中子管(10)的外壳紧密接触,半导体制冷装置(3)的散热面与保护套筒(5)之间填充有导热硅脂。
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