[发明专利]一种外延生长MoSe2–XnSem异质纳米结构的液相方法在审

专利信息
申请号: 201510835789.7 申请日: 2015-11-25
公开(公告)号: CN105463566A 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 杨晴;周晓丽 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: C30B19/00 分类号: C30B19/00;C30B29/10;C25B1/04
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 何梅生;卢敏
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种外延生长MoSe2-XnSem异质纳米结构的液相方法,其特征是:首先制备MoSe2纳米薄片;然后在MoSe2纳米薄片表面外延生长XnSem纳米晶,即获得MoSe2-XnSem异质纳米结构。本发明以高沸点有机物质为溶剂,首次用液相方法合成出了MoSe2-XnSem(包括MoSe2-NiSe、MoSe2-Bi2Se3、MoSe2-CdSe和MoSe2-PbSe)异质纳米结构,反应条件简易温和,工艺操作简单;尤其是其中的MoSe2-NiSe异质纳米结构作为析氢催化剂具有良好的电催化活性和电化学稳定性,这进一步表明了其在能量转换领域具有潜在的应用前景。
搜索关键词: 一种 外延 生长 mose sub se 纳米 结构 方法
【主权项】:
一种外延生长MoSe2‑XnSem异质纳米结构的液相方法,其特征在于包括如下步骤:第一步、合成MoSe2纳米薄片将钼的化合物和硒的化合物在有机胺的反应介质中230~320℃反应5~360min,获得MoSe2纳米薄片的分散液;第二步、在MoSe2纳米薄片表面外延生长XnSem纳米晶将含有金属X的化合物和硒的化合物溶解在有机胺中,然后注入到第一步所获得的MoSe2纳米薄片的分散液中,于200~320℃反应5~60min;反应结束后,洗涤产物,即得MoSe2‑XnSem异质纳米结构,其中X为Ni、Cd、Pb或Bi;当X为Ni、Cd或Pb时,n=m=1;当X为Bi时,n=2,m=3。
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