[发明专利]一种柔性半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201510837040.6 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105355563A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 郭奥;胡少坚;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹英 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造领域，公开了一种柔性半导体器件的制备方法，首先在无机半导体衬底上生长无机半导体薄膜，接着制备基于无机半导体薄膜的半导体器件以及隔离介质层，然后刻蚀沟槽使半导体器件的底部保持悬空，最后通过PDMS印章工艺将半导体器件转移至柔性衬底，该方法完全兼容了目前主流的微电子工艺技术，而且基于无机半导体材料所制备的半导体器件使得器件性能够得到有效保证。同时，本发明可广泛应用于不同种类的柔性半导体器件的制备，如发光二极管(LED)或场效应晶体管(FET)等，更可直接应用于柔性电路的实现，通过与柔性封装工艺相集成，有望实现柔性电路芯片的大规模量产，具有非常重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供一无机半导体衬底；步骤S02，采用异质外延生长工艺在所述无机半导体衬底上生长无机半导体薄膜；步骤S03，制备基于无机半导体薄膜的半导体器件以及隔离介质层；步骤S04，采用光刻和刻蚀工艺在所述半导体器件四周形成沟槽，且所述沟槽的四周相邻的端点处保留预设尺寸的桥接；步骤S05，对所述无机半导体衬底进行横向刻蚀，以使所述半导体器件的底部保持悬空；步骤S06，采用PDMS印章工艺将半导体器件转移至柔性衬底，形成柔性半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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