[发明专利]一种CVD石墨烯向塑料基底卷对卷转移的方法及装置在审
| 申请号： | 201510837047.8 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105329885A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;邓兵;彭海琳 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CVD石墨烯向塑料基底卷对卷转移的方法及装置。石墨烯向塑料基底转移的方法包括如下步骤：1)通过化学气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯；2)在氧气存在的条件下，对表面生长有石墨烯的金属基底进行加热；3)复合塑料基底和经表面生长有石墨烯的金属基底，制备得到依次层叠的塑料基底层、石墨烯层和金属基底层的复合结构：制备所述塑料基底层的材料包括热熔胶；4)将复合结构浸入水中加热并保温；5)在外力作用下，分离复合结构中的金属基底层和石墨烯层，即可完成石墨烯向所述塑料基底的转化。本发明方法只使用热去离子水，避免了金属基底的刻蚀，转移过程快速、干净、清洁，环境友好，石墨烯质量高，金属基底能够实现重复利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 石墨 塑料 基底 转移 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种石墨烯向塑料基底转移的方法，包括如下步骤：(1)通过化学气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯；(2)在氧气存在的条件下，对步骤(1)得到的表面生长有石墨烯的金属基底进行加热；(3)复合塑料基底和经步骤(2)处理的表面生长有石墨烯的金属基底，制备得到依次层叠的塑料基底层、石墨烯层和金属基底层的复合结构：制备所述塑料基底层的材料包括热熔胶；(4)将步骤(3)中得到的复合结构浸入水中加热并保温；(5)在外力作用下，分离经步骤(4)处理的复合结构中的金属基底层和石墨烯塑料复合层，即可完成石墨烯向所述塑料基底的转移。
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