[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审

申请号：	201510837468.0	申请日：	2009-10-19
公开（公告）号：	CN102217055A	公开（公告）日：	2016-03-16
发明（设计）人：	小暮公男	申请（专利权）人：	芝浦机械电子株式会社
主分类号：	H01L21/683	分类号：	H01L21/683;C23C14/50;H01L21/205;H01L21/3065
代理公司：	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290	代理人：	李雪春;武玉琴
地址：	日本神***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明的衬底处理方法具备：在使衬底(W)相对于静电吸附面(23a)离开的状态下，使处理室(12)内处于比衬底处理时的第1压力高的第2压力的步骤；在该第2压力下使衬底(W)相对于静电吸附面(23a)移动，以使衬底(W)吸附在静电吸附面(23a)上，使在第2压力下存在于处理室(12)内的气体介于衬底(W)和静电吸附面(23a)之间的步骤；使该气体作为介质在衬底(W)和静电卡盘工作台(21)之间进行热传递，加热或冷却衬底(W)的步骤；及对处理室(12)内进行排气从而变为第1压力，在该第1压力下进行衬底(W)的处理的步骤。
搜索关键词：	衬底处理方法装置
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【主权项】：

一种衬底处理方法，是在减压状态下的处理室内，对被吸附在静电卡盘工作台的静电吸附面上的衬底进行处理的衬底处理方法，其特征在于，具备：在使所述衬底相对于所述静电吸附面离开的状态下，使所述处理室内处于比所述处理时的第1压力高的第2压力的步骤；在所述第2压力下使所述衬底相对于所述静电吸附面移动，以使所述衬底吸附在所述静电吸附面上，使在所述第2压力下存在于所述处理室内的气体介于所述衬底和所述静电吸附面之间的步骤；使所述气体作为介质在所述衬底和所述静电卡盘工作台之间进行热传递，加热或冷却所述衬底的步骤；及对所述处理室内进行排气从而变为所述第1压力，在所述第1压力下进行所述衬底的处理的步骤。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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