[发明专利]巨磁电阻传感器差分驱动与磁场偏置电路及偏置方法有效
| 申请号： | 201510839092.7 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105259521B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 谢成昆;彭晓靖 | 申请（专利权）人： | 株洲壹星科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 吴志勇 |
| 地址： | 412001 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种巨磁电阻传感器差分驱动与磁场偏置电路及偏置方法，包括两个运放器，输入电源经电源参考模块后分别输入到两个运放器的一个负极和一个正极，使得两个运放器产生稳定放大的正负电压，两个运放器分别与巨磁电阻传感器正电源端和负电源端连接，作为巨磁电阻芯片的驱动电压；其中一个运放器输出同时经二极管、可调电阻和去耦电容连接至线圈一端，线圈另一端接地，通过调整可调电阻改变通过线圈的电流，从而产生可变化的偏置磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 运放器 巨磁电阻传感器 差分驱动 可调电阻 偏置电路 偏置 磁场 巨磁电阻芯片 正极 二极管 负极 参考模块 电容连接 负电源端 偏置磁场 驱动电压 输入电源 正电源端 正负电压 接地 可变化 去耦 电源 放大 输出 | ||
【主权项】：
1.一种巨磁电阻传感器差分驱动与磁场偏置电路，其特征在于：包括两个运放器，输入电源经电源参考模块后分别输入到两个运放器的一个负极和一个正极，使得两个运放器产生稳定放大的正负电压，两个运放器分别与巨磁电阻传感器正电源端和负电源端连接，作为巨磁电阻芯片的驱动电压；其中一个运放器输出同时经二极管、可调电阻和去耦电容连接至线圈一端，线圈另一端接地，通过调整可调电阻改变通过线圈的电流，从而产生可变化的偏置磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲壹星科技股份有限公司，未经株洲壹星科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510839092.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
