[发明专利]柔性衬底硅基薄膜太阳能电池周边激光绝缘制备方法在审
申请号: | 201510839835.0 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN106024969A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 马宁华;陈亮;周丽华;王小顺;蒋帅 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张妍;张静洁 |
地址: | 200245 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种柔性衬底硅基薄膜太阳能电池周边激光绝缘制备方法,用于制备柔性衬底硅基薄膜太阳能电池,该柔性衬底硅基薄膜太阳能电池包含柔性衬底、底电极膜层、NIP非晶硅吸收层和前电极膜层,在成卷制备柔性衬底硅基薄膜太阳能电池的过程中,采用激光正面入射,刻蚀太阳能电池结构中的其中一个电极膜层,形成若干激光刻蚀槽,在完成柔性衬底硅基薄膜太阳能电池卷材的制备后,在激光刻蚀槽的外侧对柔性衬底硅基薄膜太阳能电池卷材进行分切,获得单体太阳能电池片。本发明不影响电池吸收层性能,可以有效避免分切电池片上下电极短路,提高了电池的电绝缘性、耐候性和寿命。 | ||
搜索关键词: | 柔性 衬底 薄膜 太阳能电池 周边 激光 绝缘 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性衬底硅基薄膜太阳能电池周边激光绝缘制备方法,用于制备柔性衬底硅基薄膜太阳能电池,该柔性衬底硅基薄膜太阳能电池包含柔性衬底、底电极膜层、NIP非晶硅吸收层和前电极膜层,其特征在于,在成卷制备柔性衬底硅基薄膜太阳能电池的过程中,采用激光正面入射,刻蚀太阳能电池结构中的其中一个电极膜层,形成若干激光刻蚀槽,在完成柔性衬底硅基薄膜太阳能电池卷材的制备后,在激光刻蚀槽的外侧对柔性衬底硅基薄膜太阳能电池卷材进行分切,获得单体太阳能电池片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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