[发明专利]一种氮化硅发热体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化硅发热体及其制备方法，该氮化硅发热体由发热源及发热本体组成，所述发热源为钨丝，所述发热本体以氮化硅(Si₃N₄)、三氧化二铝（A1₂0₃)、三氧化二钇（Y₂0₃）、氮化铝（A1N）为原料，经配制研磨、模压成型、高温烧结的制备方法制备而成，以原料的总重量计，原料中名组分的重量份数为：氮化硅(Si₃N₄)80～95、三氧化二铝（A1₂0₃)0.1～5、三氧化二钇（Y₂0₃）、2～8氮化铝（A1N）3～5。使用该方法所生产出的氮化硅发热体具有较高可靠性和安全性，断裂韧性增加，弯曲强度增加。

主权项

一种氮化硅发热体，它由发热源及发热本体组成，所述发热源为钨丝，其特征在于：所述发热本体以氮化硅(Si₃N₄)、三氧化二铝（A1₂0₃)、三氧化二钇（Y₂0₃）、氮化铝（A1N）为原料，经配制研磨、模压成型、高温烧结而成，以原料的总重量计，原料中名组分的重量份数为：氮化硅(Si₃N₄)            80～95三氧化二铝（A1₂0₃)        0.1～5三氧化二钇（Y₂0₃）         2～8氮化铝（A1N）             3～5碳化硼（B₄C）             1～3。