[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管Fin FET装置包含沿第一方向延伸且从安置在衬底上的隔离绝缘层突出的鳍片结构。所述鳍片结构包含阱层、安置在所述阱层上方的氧化物层及安置在所述氧化物层上方的通道层。所述Fin FET装置包含覆盖所述鳍片结构的一部分且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的栅极结构。所述Fin FET装置包含源极及漏极。所述源极及漏极中的每一者包含安置在形成于所述鳍片结构中的凹陷部分中的应力源层。所述应力源层在所述凹陷部分上方延伸且施加应力到所述栅极结构下方的所述鳍片结构的通道层。所述Fin FET装置包含与所述氧化物层及所述凹陷部分中的所述应力源层接触形成的电介质层。

主权项

1.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：形成鳍片结构，所述鳍片结构包含阱层、安置在所述阱层上方的氧化物层及安置在所述氧化物层上方的通道层；形成隔离绝缘层，以使得所述鳍片结构的所述通道层从所述隔离绝缘层突出，且所述氧化物层的至少一部分或所述氧化物层的全部嵌入所述隔离绝缘层中；在所述鳍片结构的一部分上方及所述隔离绝缘层上方形成栅极结构；通过蚀刻未由所述栅极结构覆盖的所述鳍片结构的一部分形成凹陷部分，以使得所述通道层、所述氧化物层及所述阱层暴露在所述凹陷部分中；在所述凹陷部分中形成电介质层，所述电介质层包括在所述凹陷部分中的所述阱层上方的第一部分，及在所述凹陷部分中的所述通道层上方的第二部分；去除所述电介质层的所述第一部分以暴露所述阱层；在所述凹陷部分中的所述氧化物层及所述阱层上方形成第一外延层，在形成所述第一外延层之后去除所述电介质层的所述第二部分；及在所述凹陷部分中形成安置在所述第一外延层上的第二外延层。