[发明专利]半导体器件和晶体管有效
| 申请号： | 201510843927.6 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN106158934B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 颜智洋;刘致为;赖德全;丁媛文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供具有可变正电容器的负电容栅极堆叠结构，以实现具有提高的电压增益的无磁滞负电容场效应晶体管(NCFET)。栅极堆叠结构通过利用铁电性负电容器与具有半导体材料(诸如多晶硅)的可变正电容器的组合来提供有效的铁电性负电容器，从而有效的铁电性负电容器随着所施加的栅极电压而变化。我们的模拟结果显示出，具有可变正电容器的NCFET不仅可以实现非磁滞ID‑VG曲线而且可以实现更好的亚阈值斜率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；以及栅极结构，位于所述衬底上方，所述栅极结构包括：栅极氧化物；第一金属层，位于所述栅极氧化物上方；铁电性材料，位于所述第一金属层上方；第二金属层，位于所述铁电性材料上方；半导体材料，位于所述第二金属层上方；和第三金属层，位于所述半导体材料上方，其中，所述第二金属层、所述半导体材料和所述第三金属层形成可变正电容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为，未经台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510843927.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
