[发明专利]具有不同电学特性的不对称结构构型的MOSFET器件

摘要

本发明的各个实施例涉及具有引入不同电学特性的不对称结构构型的MOSFET器件。带有不同电学特性的第一和第二晶体管由具有第一类型掺杂物的衬底支撑。该第一晶体管包括：在该衬底之内具有该第一类型掺杂物的阱区、在该阱区之内具有第二类型掺杂物的第一本体区以及在该第一本体区之内并且从该阱区横向地偏移了第一沟道的第一源极区。该第二晶体管包括在该半导体衬底层之内具有该第二类型掺杂物的第二本体区以及在该第二本体区之内并且从该衬底的材料横向地偏移了第二沟道的第二源极区，该第二沟道具有的长度大于该第一沟道的长度。栅极区在该第一本体区和该第二本体区的多个部分之上延伸以分别用于该第一沟道和该第二沟道。

主权项

1.一种集成电路，包括：半导体衬底层，所述半导体衬底层具有在第一掺杂浓度水平的第一导电类型掺杂物，所述半导体衬底层包括第一区和第二区；在所述半导体衬底层中的阱区，所述阱区具有在高于所述第一掺杂浓度水平的第二掺杂浓度水平的所述第一导电类型掺杂物，所述阱区位于所述第一区中但不位于所述第二区中；在所述第一区处的所述阱区中的第一本体区，所述第一本体区具有第二导电类型掺杂物；在所述第二区处的所述半导体衬底层中的第二本体区，所述第二本体区也具有所述第二导电类型掺杂物；在所述第一本体区中的第一源极区，所述第一源极区从所述阱区横向地偏移了具有第一长度的第一沟道；在所述第二本体区中的第二源极区，所述第二源极区从所述半导体衬底层的材料横向地偏移了第二沟道，所述第二沟道具有大于所述第一长度的第二长度；以及在所述第一沟道和所述第二沟道两者之上延伸的栅极区。