[发明专利]导电桥接式随机存取存储器有效
| 申请号： | 201510844982.7 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN106684242B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 曾俊元;蔡宗霖;江法伸 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电桥接式随机存取存储器。此导电桥接式随机存取存储器包括底电极层形成于半导体基板上；电阻转态层形成于底电极层上；阻挡层形成于电阻转态层上；顶电极层形成于阻挡层上；以及高导热材料层形成于底电极层与阻挡层之间。此高导热材料层的导热系数为70(W/mK)‑5000(W/mK)。通过实施本发明，有助于提升存储器装置的稳定性及产品生命周期。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 桥接式 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种导电桥接式随机存取存储器，其特征在于，该导电桥接式随机存取存储器包括：一半导体基板；一底电极层，形成于该半导体基板上；一电阻转态层，形成于该底电极层上；一阻挡层，形成于该电阻转态层上；一顶电极层，形成于该阻挡层上；以及一高导热材料层，形成于该电阻转态层与该阻挡层之间，其中该高导热材料层的导热系数为70(W/mK)‑5000(W/mK)。
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