[发明专利]一种高密度集成电路键合精度控制方法在审
| 申请号： | 201510845332.4 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105374700A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 井立鹏;冯达;荆林晓;钱红英;倪琳;崔淑燕;戚娟;姜振来 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 庞静 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高密度集成电路键合精度控制方法，步骤如下：(1)选取待使用的所有高密度集成电路所用的外壳；所述的外壳为窄宽度高密度键合指外壳；(2)采用金丝键合机上的视频引脚定位器VLL对步骤(1)中的外壳进行预先筛选；所述的视频引脚定位器VLL筛选过程中所用参数为：后定位线的长度比键合指宽度长10um-15um，前定位线的长度比键合指宽度长5um-10um，端头定位点的误差识别范围为0-4um，键合位置点的误差识别范围为0-2um，识别速度为5-8mm/ms；(3)将利用步骤(2)参数能够识别出焊点位置的外壳标识为一组，对其他外壳继续执行步骤(4)；(4)按照允许的键合位置点误差识别范围上限，调节视频引脚定位器VLL上的键合点位置，从步骤(2)开始执行，直至所有外壳归类完成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 集成电路 精度 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种高密度集成电路键合精度控制方法，其特征在于步骤如下：(1)选取待使用的所有高密度集成电路所用的外壳；所述的外壳为窄宽度高密度键合指外壳；(2)采用金丝键合机上的视频引脚定位器VLL对步骤(1)中的外壳进行预先筛选；所述的视频引脚定位器VLL筛选过程中所用参数为：后定位线的长度比键合指宽度长10um‑15um，前定位线的长度比键合指宽度长5um‑10um，端头定位点的误差识别范围为0‑4um，键合位置点的误差识别范围为0‑2um，识别速度为5‑8mm/ms；(3)将利用步骤(2)参数能够识别出焊点位置的外壳标识为一组，对其他外壳继续执行步骤(4)；(4)按照允许的键合位置点误差识别范围上限，调节视频引脚定位器VLL上的键合点位置，从步骤(2)开始执行，直至所有外壳归类完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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