[发明专利]用于自旋转矩振荡器的低Bs自旋极化器在审
| 申请号： | 201510845633.7 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105632518A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤阳;椎本正人;五十岚万寿和;长坂惠一;冈村进;佐藤雅重 | 申请（专利权）人： | HGST荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 赵晓祎;戚传江 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及用于自旋转矩振荡器的低Bs自旋极化器。在一个实施例中，磁头包括：主磁极，其被定位配置成当电流被施加到写线圈时产生写磁场；和自旋转矩振荡器(STO)，其定位成与主磁极相邻，该STO被配置成当将电流施加到其时产生高频磁场，其中高频磁场与写磁场同时产生以辅助磁记录介质的反向磁化。STO包括：自旋极化层(SPL)、定位成与SPL相邻的场产生层(FGL)、和定位在SPL与FGL之间的一个或多个中间层，并且SPL的易磁化轴被定位在面内方向上，使得SPL不存在垂直的磁各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自旋 转矩 振荡器 bs 极化 | ||
【主权项】：
一种磁头，包括：主磁极，所述主磁极被配置成当电流被施加于写线圈时生成写磁场；和定位成与所述主磁极相邻的自旋转矩振荡器(STO)，所述STO被配置成当电流被施加于其时生成高频磁场，其中，所述高频磁场与所述写磁场同时产生，其中，所述STO包括：自旋极化层(SPL)；定位成与所述SPL相邻的场产生层(FGL)；和定位在所述SPL与所述FGL之间的一个或多个中间层，以及其中，所述SPL的易磁化轴定位在面内方向上，使得所述SPL不存在垂直磁各向异性。
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