[发明专利]半导体功率器件的终端结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510845704.3 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN106803515A | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 高文玉;孙娜;陈智勇 | 申请（专利权）人： | 宁波达新半导体有限公司;上海达新半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体功率器件的终端结构，包括多个P型场限环；介质隔离条将P型场限环之间的N型半导体材料表面完全覆盖；SIPOS层覆盖在各P型场限环的表面上并延伸到介质隔离条表面上；在SIPOS层表面覆盖有介质保护层。SIPOS层和P型场限环直接接触，SIPOS层和N型半导体材料间隔有所述介质隔离条，本发明通过介质隔离条来减少SIPOS层和底部半导体材料接触的面积从而减少漏电，通过SIPOS层和P型场限环直接接触来提高耐压一致性。本发明还公开了一种半导体功率器件的终端结构的制造方法。本发明能降低终端漏电，提高器件耐压以及耐压一致性，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件的终端结构，终端结构环绕在半导体功率器件的有源区的周侧，其特征在于，所述终端结构包括：多个P型场限环，形成于N型半导体材料中；在俯视面上，各所述P型场限环呈环形结构并环绕在所述有源区的周侧，相邻的所述P型场限环之间间隔有所述N型半导体材料；介质隔离条将各相邻的所述P型场限环之间的所述N型半导体材料表面完全覆盖；SIPOS层覆盖在各所述P型场限环的表面上并延伸到所述介质隔离条表面上；在所述SIPOS层表面覆盖有介质保护层；所述SIPOS层和所述P型场限环直接接触，所述SIPOS层和所述N型半导体材料间隔有所述介质隔离条，通过所述介质隔离条来减少所述SIPOS层和底部半导体材料接触的面积从而减少漏电，通过所述SIPOS层和所述P型场限环直接接触来提高耐压一致性。
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