[发明专利]多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201510846524.7 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105448962B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王冲;魏晓晓;张金凤;郑雪峰;马晓华;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778;H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极，源漏电极分别位于SiN层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层异质结与SiN层之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在SiN钝化层顶部和SiN钝化层、第一层异质结、第二层异质结的两个侧壁。本发明器件栅控能力强，载流子迁移率和饱和速度高，饱和电流大，可用于短栅长的低噪声微波功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 结构 algan gan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源、漏、栅电极，源电极和漏电极分别位于SiN钝化层两侧的顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层AlGaN/GaN异质结(2)与SiN钝化层(4)之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在SiN钝化层(4)的顶部和SiN钝化层(4)、第一层异质结(2)、第二层异质结(3)的两个侧壁，SiN钝化层(4)的厚度为50～100nm；所述第一层AlGaN/GaN异质结(2)中AlGaN势垒层厚度与第二层AlGaN/GaN异质结(3)中的AlGaN势垒层厚度均为15～25nm，其Al组份为25～35％。
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