[发明专利]一种ns级冲击电压下局部放电测量系统及方法有效

专利信息
申请号: 201510846621.6 申请日: 2015-11-26
公开(公告)号: CN105301462B 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 姚鑫;谭向宇;谷红霞;刘小伟;王科;马仪;彭晶 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 650217 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明实施例公开了一种ns级冲击电压下局部放电测量系统及方法,通过高频脉冲电流传感器、采集电容和MOSFET传感器采集待测量电力设备的局部放电脉冲信号,可变滤波器排除ns级冲击源引起的位移电流和起始时刻的干扰信号,增强抗干扰性;而且,光电倍增管采集局部放电光信号、并将所述光信号转换成电信号,示波器同时接收所述局部放电脉冲信号和所述光电倍增管发送的电信号,进行计算和显示以获得局部放电测量结果,有效结合了脉冲电流检测和光学检测的特点,提高抗干扰性;另外,所述ns级冲击电压下局部放电测量系统还具有操作简单,可靠耐用、方便的特点,将大大缩减系统搭建准备时间和人力,以缩短测量周期和劳动强度。
搜索关键词: 一种 ns 冲击 压下 局部 放电 测量 系统 方法
【主权项】:
1.一种ns级冲击电压下局部放电测量系统,其特征在于,ns级冲击电压局部放电装置和局部放电测量装置,其中:所述ns级冲击电压局部放电装置,包括:与待测量电力设备(9)的一端相连接的ns级冲击电压发生器(1);与待测量电力设备(9)的另一端相连接的高频脉冲电流传感器(2);以及,与所述高频脉冲电流传感器(2)相连接且相互并联的采集电容(3)和MOSFET场效应晶体管(4);所述局部放电测量装置,包括:与所述采集电容(3)、所述MOSFET场效应晶体管(4)以及所述高频脉冲电流传感器(2)均相连接的可变滤波器(5);与所述可变滤波器(5)相连接的示波器(6);与所述示波器(6)相连接的光电倍增管(7);所述光电倍增管(7)与所述待测量电力设备(9)对应设置,位于能够摄取所述待测量电力设备(9)光信号的位置;以及,与所述示波器(6)和所述ns级冲击电压发生器(1)均相连接的分压器(8)。
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